Kioxia تطور تقنية OCTRAM (ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية “DRAM” ذات الترانزستور ذي القناة شبه الموصلة المؤكسدة)

almontasher — أعلنت Kioxia Corporation، إحدى الشركات الرائدة عالميًا في حلول الذاكرة، عن تطوير تقنية OCTRAM (ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية “DRAM” ذات الترانزستور ذي القناة شبه الموصلة المؤكسدة)، وهي نوع جديد من 4F² DRAM، حيث تتكون من ترانزستور شبه موصل مؤكسد يحتوي على تيار تشغيل مرتفع، وتيار إيقاف منخفض للغاية، في نفس الوقت. ومن المتوقَّع أن تصل هذه التقنية إلى ذاكرة DRAM منخفضة الطاقة من خلال عرض خاصية التسرب المنخفضة للغاية للترانزستور المكوَّن من مواد الإنديوم والغاليوم والزنك والأكسجين InGaZnO^*1. تم الإعلان عن هذه التقنية لأول مرة في اجتماع IEEE الدولي للأجهزة الإلكترونية (IEDM) الذي عقد في سان فرانسيسكو، كاليفورنيا بتاريخ 9 ديسمبر 2024. شارك في تطوير هذه التقنية وتحقيق هذا الإنجاز شركتا Nanya Technology وKioxia Corporation. لدى هذه التقنية القدرة على خفض استهلاك الطاقة في مجموعة واسعة من التطبيقات، بما في ذلك أنظمة الذكاء الاصطناعي وأنظمة الاتصالات ما بعد الجيل الخامس، ومنتجات إنترنت الأشياء.

 تستخدم تقنية OCTRAM ترانزستورًا عموديًا على شكل أسطوانة من مواد الإنديوم والغاليوم والزنك والأكسجين InGaZnO (الشكل 1) كترانزستور خلية. يُسهِّم هذا التصميم في تعديل ذاكرة 4F² DRAM، والتي توفر مزايا كبيرة في كثافة الذاكرة مقارنة بذاكرة 6F² DRAM التقليدية القائمة على السيليكون.

 يحقق الترانزستور العمودي المكوَّن من مواد الإنديوم والغاليوم والزنك والأكسجين InGaZnO تيار تشغيل عالي يزيد عن 15 ميكروأمبير/خلية (1.5 x 10^-5  أمبير/خلية) وتيار إيقاف منخفض للغاية أقل من 1 ميكروأمبير/خلية (1.0 x 10^-18 أمبير/خلية) من خلال تحسين الجهاز والعملية (الشكل 2). وفي بنية OCTRAM، يتم دمج الترانزستور العمودي المكوَّن من مواد الإنديوم والغاليوم والزنك والأكسجين InGaZnO في الجزء العلوي من مكثف بنسبة عرض إلى ارتفاع عالية (عملية المكثف أولاً). يتيح هذا الترتيب فصل التفاعل بين عملية المكثف المتقدمة وأداء مواد الإنديوم والغاليوم والزنك والأكسجين InGaZnO (الشكل 3).

 *1: InGaZnO هو مركب من مواد In(الإنديوم)، وGa(الغاليوم)، وZn(الزنك)، وO(الأكسجين).

•  تم إعداد هذا الإعلان لتقديم معلومات عن أعمالنا ولا يُعدُّ أو يُشكِّل جزءًا من عرض أو دعوة للبيع أو طلب عرض لشراء أو الاكتتاب أو الاستحواذ بأي شكل آخر على أي أوراق مالية في أي ولاية قضائية أو حافزًا للتشجيع على المشاركة في نشاط استثماري ولا يُشكِّل أساسًا أو يعتمد عليه في أي عقد ذي صلة.

•  تُعدُّ المعلومات الواردة في هذا المستند، بما في ذلك أسعار المنتجات ومواصفاتها، ومحتوى الخدمات ومعلومات الاتصال، صحيحة في تاريخ الإعلان ولكنها عرضة للتغيير دون إشعار مسبق.

 نبذة عن شركة Kioxia

 هي شركة عالمية رائدة في قطاع صناعة حلول مجموعات الذاكرة، ومتخصصة في تطوير وإنتاج وبيع الذاكرة المحمولة ومحركات الأقراص ذات الحالة الصلبة (SSDs). وفي أبريل 2017، انفصلت سابقتها Toshiba Memory عن شركة Toshiba، الشركة التي اخترعت الذاكرة المحمولة NAND في عام 1987. ويحمل القائمون على الشركة على عاتقهم تزويد العالم بمجموعة ذاكرة كبيرة عن طريق تقديم منتجات وخدمات وأنظمة توفر خيارًا للعملاء وقيمة معتمدة على الذاكرات للمجتمع. وتُشكِّل التكنولوجيا المبتكرة للذاكرة المحمولة ثلاثية الأبعاد، ™BiCS FLASH، مستقبل التخزين في الأجهزة ذات الكثافة العالية، منها الهواتف الذكية المتقدمة، والحواسيب الشخصية، ومحركات الأقراص ذات الحالة الصلبة

إن نص اللغة الأصلية لهذا البيان هو النسخة الرسمية المعتمدة. أما الترجمة فقد قدمت للمساعدة فقط، ويجب الرجوع لنص اللغة الأصلية الذي يمثل النسخة الوحيدة ذات التأثير القانوني.