كيوكسيا وويسترن ديجيتال تعلنان عن الجيل السادس من ذاكرة الفلاش ثلاثية الأبعاد

 تسمح الابتكارات في مجال توسيع نطاق أشباه الموصلات المصنوعة من أكسيد المعادن التكميلي (CMOS) وتثبيتها للشركتين بتقديم تقنية ذاكرة الفلاش ثلاثية الأبعاد الأعلى كثافة متوافرة لدى الشركتين والأكثر تطوراً الى تاريخ

(بزنيس واير): قالت كل من شركة “كيوكسيا كوربورايشن” و”ويسترن ديجيتال كوربورايشن” (المدرجة في بورصة ناسداك تحت الرمز: NASDAQ: WDC)، أنهما طورتا الجيل السادس من تقنية ذاكرة الفلاش ثلاثية الأبعاد الخاصة بهما ذات 162 طبقة. وتشكل هذه الخطوة المرحلة التالية في المشروع المشترك بين الشركتين والممتد على 20 عاماً، وهي تعد تقنية ذاكرة الفلاش ثلاثية الأبعاد الأعلى كثافة متوافرة لدى الشركتين و الأكثر تطوراً حتى تاريخه، وذلك باستخدام مجموعة واسعة من التقنيات والابتكارات في مجال التصنيع.

وقال ماساكي مومودومي، الرئيس التنفيذي لشؤون التكنولوجيا في شركة “كيوكسيا”: “من خلال شراكتنا القوية التي امتدت عقدين من الزمن، نجحت كل من شركة ’كيوكسيا‘ و’ويسترن ديجيتال‘ ببنء قدرات منقطعة النظير في مجالي التصنيع والبحث والتطوير.” وأضاف: “نعمل معاً على إنتاج أكثر من 30 في المائة1 من بتات ذاكرات الفلاش في العالم ونحن ثابتون في مهمتنا لتوفير مستوى استثنائي من السعة والأداء والموثوقية بتكلفة مقنعة. يقدم كل منا عرض القيمة هذا عبر مجموعة من التطبيقات المتمحورة حول البيانات، من الإلكترونيات الشخصية إلى مراكز البيانات وكذلك التطبيقات الناشئة المدعومة بواسطة شبكات الجيل الخامس، والذكاء الاصطناعي والنظم الذاتية.”

ومن جهته، قال الدكتور سيفا سيفارام، رئيس شؤون التكنولوجيا والاستراتيجية لدى شركة “ويسترن ديجيتال”: “مع بلوغ قانون مور حدوده المادية عبر قطاع أشباه الموصلات، هناك مكان واحد لا يزال ينطبق فيه قانون مور وهو في ذاكرة  الفلاش. بالتالي، ولمواصلة هذه التطورات وتلبية احتياجات البيانات المتزايدة في العالم، يعتبر النهج الجديد لتوسيع نطاق ذاكرة الفلاش ثلاثية الأبعاد أمراً بالغ الأهمية. ومن خلال هذا الجيل الجديد، تقدم كل من ’كيوكسيا‘ و’ويسترن ديجيتال‘ ابتكارات في التوسيع الرأسي وكذلك الجانبي لتحقيق سعة أكبر في قالب أصغر وبعدد أقل من الطبقات. ويوفر هذا الابتكار في النهاية الأداء والموثوقية والتكلفة التي يحتاجها العملاء”.

هذا ويضم الجيل السادس من ذاكرة الفلاش ثلاثية الأبعاد بنية متطورة تتجاوز نموذج مصفوفة فتحة الذاكرة التقليدية ذات ثمانية صفوف متداخلة وتتميز بكثافة أكبر تصل إلى 10 في المائة lمن حيث مصفوفة الخلايا الجانبية بالمقارنة مع الجيل الخامس من التكنولوجيا. ويتيح هذا التقدم في التوسيع الجانبي بالاقتران مع 162 طبقة من الذاكرة الرأسية المكدسة، إمكانية تخفيض  حجم القالب بنسبة 40 في المائة مقارنة بتقنية التكديس ذات 112 طبقة، ما يؤدي في النهاية إلى تقليل التكاليف.

كما قام فريق العمل لدى كلّ من شركة “كيوكسيا” و”ويسترن ديجيتال” بوضع دارات أشباه الموصلات المصنوعة من أكسيد المعادن التكميلي (CMOS) تحت المصفوفة وعلى أربع مستويات، وهذا ما أدى إلى تحسين بنحو 2.4 مرة في أداء البرنامج و10 في المائة في كمون قراءة البيانات مقارنة مع الجيل السابق. كما تحسن أداء الإدخال/الإخراج بنسبة 66 في المائة، مما يمكّن واجهة الجيل التالي من دعم الحاجة المتزايدة باستمرار لمعدلات نقل أسرع.وبشكل عام، تسهم تقنية ذاكرة الفلاش ثلاثية الأبعاد الجديدة بخفض التكلفة لكل بت، بالإضافة إلى زيادة البتات المصنعة لكل رقاقة بنسبة 70 في المائة، مقارنة بالجيل السابق. تواصل “كيوكسيا” و”ويسترن ديجيتال” دفع الابتكار لضمان استمرار التوسع لتلبية احتياجات العملاء وتطبيقاتهم المتنوعة.